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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹:
薄膜電容電容器溫度特性測(cè)量?jī)x由華測(cè)儀器生產(chǎn),是將環(huán)境試驗(yàn)箱與儀器相結(jié)合,效率采集數(shù)據(jù)的自動(dòng)化多通道測(cè)量?jī)x。儀器自動(dòng)評(píng)估測(cè)量高溫和高溫/高濕環(huán)境下電容器的絕緣退化特性和電容器在不同溫度下的關(guān)鍵參數(shù),從而評(píng)估其溫度特性。該設(shè)備精度高、穩(wěn)定可靠,通道數(shù)量多,具有多種測(cè)試模式,多種可選夾具,適用于包括多層陶瓷電容器(MLCC)、陶瓷電容、薄膜電容等各種類型的電容器。
詳情介紹:
薄膜電容電容器溫度特性測(cè)量?jī)x
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
至多64個(gè)通道的自動(dòng)測(cè)量可以測(cè)量不同溫度環(huán)境下的電容量(C)、損耗因子(D)和阻抗(Z),可選擇8個(gè)通道的倍數(shù),至多64個(gè)通道。
圖形功能允許實(shí)時(shí)查看測(cè)量結(jié)果
收集的數(shù)據(jù),包括不同溫度、頻率和時(shí)間下的電特性值和變化率,可以通過各種圖形函數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)審查。
可從不同測(cè)試模式選擇
溫度特性評(píng)價(jià)試驗(yàn)、恒定運(yùn)行試驗(yàn)和頻率特性試驗(yàn)。測(cè)試可與溫度特性評(píng)價(jià)測(cè)試或恒定運(yùn)行測(cè)試相合。
溫度特性評(píng)估測(cè)試:在此測(cè)試模式下,自動(dòng)記錄特性數(shù)據(jù),并與溫度變化同步,頻率步數(shù)201步(范圍可定制)。
持續(xù)運(yùn)行測(cè)試:測(cè)試模式測(cè)量參數(shù)的變化隨時(shí)間推移自動(dòng)記錄數(shù)據(jù)。
頻率特性評(píng)價(jià)試驗(yàn):試驗(yàn)?zāi)J皆谔囟囟拳h(huán)境下改變頻率的同時(shí),自動(dòng)記錄不同頻率下的特性數(shù)據(jù)。
多種可選夾具 適用于不同的試驗(yàn)樣本
除了SMD組件的專用夾具外,還提供了根據(jù)離散設(shè)備形狀定制的夾具。環(huán)境試驗(yàn)箱(可定制)
產(chǎn)品參數(shù)
測(cè)量項(xiàng)目:電容量 (C)、損耗系數(shù) (D)、阻抗 (Z)、電阻 (Rs,Rp) 和電感 (Ls,Lp)測(cè)試方法:溫度特性評(píng)價(jià)試驗(yàn)(相對(duì)于溫度的變化)
恒定運(yùn)行檢測(cè)(相對(duì)于檢測(cè)時(shí)間的變化)
頻率特性評(píng)價(jià)試驗(yàn) (相對(duì)于頻率的變化)
通道配置:8通道(標(biāo)準(zhǔn));至多64通道可擴(kuò)展8通道增量
測(cè)量方法:交流四端對(duì)測(cè)量
測(cè)量范圍:測(cè)量頻率:20 Hz ~ 1 MHz
電容量(C):50 pF ~ 5 mF
損失因子(D):0.00001 ~ 9.99999
阻抗(Z):0.00001Ω ~ 99.9999 MΩ
測(cè)量?jī)x器:LCR表(可按需選擇型號(hào))
直流偏壓:0 ~ ±40V
溫度測(cè)量間隔:1 ℃
掃描周期:64通道可在1min之內(nèi)完成
頻率步長:201步(范圍可定制)
補(bǔ)償:短時(shí)補(bǔ)償,開放補(bǔ)償
環(huán)境試驗(yàn)系統(tǒng)控制:溫度數(shù)據(jù)采集與測(cè)量和的溫度控制同步,具有RS-485功能的環(huán)境測(cè)試系統(tǒng)。
測(cè)量電纜:由聚四氟乙烯制成的同軸電纜(特性阻抗(Z),50Ω,95 pF/m)
應(yīng)用領(lǐng)域
通信與信息技術(shù):在通信設(shè)備和信息技術(shù)產(chǎn)品中,多通道電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng)可以提供有效的測(cè)試方案,確保產(chǎn)品在各種溫度環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。電子材料:印刷電路板、通量、絕緣材料(樹脂、薄膜等)、介電材料(鈦、陶瓷、鉭、鋁電解材料等)。